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GermanyTSM180N03PQ33 RGG
元器件型号详细信息
原厂型号
TSM180N03PQ33 RGG
摘要
MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 25A（Tc） 21W（Tc） 8-PDFN（3x3）
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
32 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
345 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
21W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PDFN（3x3）
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
TSM180
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TSM180N03PQ33 RGGDKR
TSM180N03PQ33 RGGCT
TSM180N03PQ33RGGDKR
TSM180N03PQ33 RGGCT-ND
TSM180N03PQ33 RGGTR-ND
TSM180N03PQ33RGGCT
TSM180N03PQ33 RGGTR
TSM180N03PQ33RGGTR
TSM180N03PQ33 RGGDKR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM180N03PQ33 RGG
相关文档
规格书
1(TSM180N03PQ33)
环保信息
()
EDA 模型
1(TSM180N03PQ33 RGG by SnapEDA)
价格
数量: 10000
单价: $3.29088
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
数量: 1
单价: $8.11
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
替代型号
-