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GermanyJANSR2N7381
元器件型号详细信息
原厂型号
JANSR2N7381
摘要
MOSFET N-CH 200V 9.4A TO257
详情
通孔 N 通道 200 V 9.4A（Tc） 2W（Ta），75W（Tc） TO-257
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
Military, MIL-PRF-19500/614
包装
托盘
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
490 毫欧 @ 9.4A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
50 nC @ 12 V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta），75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-257
封装/外壳
TO-257-3
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
JANSR2N7381-ND
150-JANSR2N7381
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Microsemi Corporation JANSR2N7381
相关文档
规格书
1(JANSR2N7381)
环保信息
()
HTML 规格书
1(JANSR2N7381)
价格
-
替代型号
-