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GermanyFDD86102LZ
元器件型号详细信息
原厂型号
FDD86102LZ
摘要
MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 8A（Ta），35A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
26 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22.5 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1540 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），54W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
FDD86102
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDD86102LZ-ND
ONSONSFDD86102LZ
2156-FDD86102LZ-OS
FDD86102LZFSDKR
FDD86102LZFSCT
FDD86102LZFSTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDD86102LZ
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规格书
1(FDD86102LZ)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Multi Dev 29/Sep/2022)
PCN 封装
()
EDA 模型
1(FDD86102LZ by Ultra Librarian)
价格
数量: 12500
单价: $5.48419
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
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