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GermanyFF6MR12KM1BOSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
FF6MR12KM1BOSA1
摘要
MEDIUM POWER 62MM
详情
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 250A（Tc） 底座安装 AG-62MM
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC™
包装
托盘
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.81 毫欧 @ 250A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.15V @ 80mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
496nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14700pF @ 800V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
AG-62MM
基本产品编号
FF6MR12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001686408
2156-FF6MR12KM1BOSA1
448-FF6MR12KM1BOSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies FF6MR12KM1BOSA1
相关文档
规格书
1(FF6MR12KM1)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Aug/2022)
EDA 模型
1(FF6MR12KM1BOSA1 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : FF4MR12KM1H
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : MFR Recommended
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : MFR Recommended