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GermanyUF3C120150K4S
元器件型号详细信息
原厂型号
UF3C120150K4S
摘要
SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
详情
通孔 N 通道 1200 V 18.4A（Tc） 166.7W（Tc） TO-247-4
原厂/品牌
Qorvo
原厂到货时间
44 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Qorvo
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180毫欧 @ 5A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25.7 nC @ 12 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
738 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
166.7W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-4
封装/外壳
TO-247-4
基本产品编号
UF3C120150
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Qorvo UF3C120150K4S
相关文档
规格书
1(UF3C120150K4S)
视频文件
1(Minimizing EMI and switching loss for SiC FETs)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 4/Jun/2021)
价格
数量: 1000
单价: $45.41216
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $52.1399
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $59.8771
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $72.325
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $80.05
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-