IPB80N06S2L09ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB80N06S2L09ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

详情

表面贴装型 N 通道 55 V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

allaboutcomponents.com 停止提供

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

8.2 毫欧 @ 52A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 125µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

105 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2620 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

190W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB80N

其它名称

IPB80N06S2L-09-ND

SP000218743

IPB80N06S2L09ATMA1TR

IPB80N06S2L-09

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB80N06S2L09ATMA1

价格

数量: 10000

单价: $4.60509
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 5000

单价: $4.78498
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 2000

单价: $5.03682
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $5.39655
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

替代型号

型号 : STB85NF55T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥23.21000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN008-75B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 770
单价. : ¥16.06000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN015-60BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥10.81000
替代类型. : 类似

型号 : NP60N055KUG-E1-AY

制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN7R6-60BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似

型号 : STB140NF55T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 3,203
单价. : ¥29.41000
替代类型. : 类似

RN55D4534FB14 GBB07DHRT R5F72865D100FA#U2 ECQ-E1685KF RN73H2BTTD5300D25

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