English
Spain
Rusia
Italy
GermanySIHP12N50C-E3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIHP12N50C-E3
摘要
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
详情
通孔 N 通道 500 V 12A（Tc） 208W（Tc）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
17 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
555 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1375 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
208W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SIHP12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIHP12N50C-E3TRINACTIVE
SIHP12N50C-E3TR-ND
SIHP12N50C-E3CT-ND
SIHP12N50C-E3DKR
SIHP12N50C-E3DKRINACTIVE
SIHP12N50C-E3CT
SIHP12N50C-E3DKR-ND
SIHP12N50C-E3TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHP12N50C-E3
相关文档
规格书
1(SIH(P,B,F)12N50C-E3)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019)
HTML 规格书
1(SIH(P,B,F)12N50C-E3)
EDA 模型
1(SIHP12N50C-E3 by SnapEDA)
价格
数量: 1000
单价: $19.63308
包装: 管件
最小包装数量: 1000
包装: 管件
最小包装数量: 1000
替代型号
型号 : IXTP15N50L2
制造商 : IXYS
库存 : 303
单价. : ¥80.77000
替代类型. : 类似
库存 : 303
单价. : ¥80.77000
替代类型. : 类似
型号 : FDP12N50NZ
制造商 : onsemi
库存 : 1
单价. : ¥13.83000
替代类型. : 类似
库存 : 1
单价. : ¥13.83000
替代类型. : 类似
型号 : IXTP6N50D2
制造商 : IXYS
库存 : 316
单价. : ¥63.28000
替代类型. : 类似
库存 : 316
单价. : ¥63.28000
替代类型. : 类似
型号 : STP11NK50Z
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 905
单价. : ¥24.64000
替代类型. : 类似
库存 : 905
单价. : ¥24.64000
替代类型. : 类似
型号 : STP11NK40Z
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,000
单价. : ¥15.98000
替代类型. : 类似
库存 : 1,000
单价. : ¥15.98000
替代类型. : 类似