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元器件型号详细信息
原厂型号
SPI12N50C3XKSA1
摘要
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
详情
通孔 N 通道 560 V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
560 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
380 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
49 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1200 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO262-3-1
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
SPI12N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IFEINFSPI12N50C3XKSA1
SPI12N50C3IN
SPI12N50C3IN-ND
SPI12N50C3
SPI12N50C3X
SP000680996
2156-SPI12N50C3XKSA1-IT
SPI12N50C3-ND
SPI12N50C3XK
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPI12N50C3XKSA1
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HTML 规格书
1(SPx12N50C3)
价格
-
替代型号
型号 : STI24NM60N
制造商 : STMicroelectronics
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单价. : ¥41.50000
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