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Germany2N6661-2
元器件型号详细信息
原厂型号
2N6661-2
摘要
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
详情
通孔 N 通道 90 V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
90 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
860mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
725mW（Ta），6.25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-39
封装/外壳
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
基本产品编号
2N6661
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix 2N6661-2
相关文档
规格书
1(2N6661(2)/2N6661JANTX(V))
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Device OBS Update 15/May/2017)
PCN 组装/来源
1(SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014)
HTML 规格书
1(2N6661(2)/2N6661JANTX(V))
价格
-
替代型号
型号 : 2N6661
制造商 : Microchip Technology
库存 : 37
单价. : ¥126.40000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥126.40000
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