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GermanyDMS3016SSS-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMS3016SSS-13
摘要
MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 9.8A（Ta） 1.54W（Ta） 8-SO
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 9.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1849 pF @ 15 V
FET 功能
肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
1.54W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
DMS3016SSS-13DIDKR
DMS3016SSS-13DICT
DMS3016SSS13
DMS3016SSS-13DI
DMS3016SSS-13DITR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMS3016SSS-13
相关文档
规格书
1(DMS3016SSS)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 05/Feb/2019)
PCN 设计/规格
1(Bond Wire 11/Nov/2011)
PCN 其他
1(Multiple Device Changes 29/Apr/2013)
EDA 模型
1(DMS3016SSS-13 by SnapEDA)
价格
-
替代型号
型号 : DMS3016SSS-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 10
单价. : ¥3.50000
替代类型. : 参数等效
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型号 : SQ4410EY-T1_GE3
制造商 : Vishay Siliconix
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单价. : ¥12.08000
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型号 : FDS8878
制造商 : onsemi
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型号 : FDS6690A
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型号 : RS3E095BNGZETB
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单价. : ¥7.00000
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型号 : AO4468
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 29,541
单价. : ¥4.29000
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