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GermanyIRFR18N15DTRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFR18N15DTRPBF
摘要
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 150 V 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
125 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRFR18N15DTRPBF-ND
IRFR18N15DTRPBFCT
IRFR18N15DTRPBFDKR
SP001556822
IRFR18N15DTRPBFTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFR18N15DTRPBF
相关文档
规格书
1(IRFR18N15DPbF, IRFU18N15DPbF)
其他相关文档
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产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
设计资源
1(IRFR18N15D Saber Model)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 9/Apr/2020)
PCN 组装/来源
1(Warehouse Transfer 29/Jul/2015)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRFR18N15DPbF, IRFU18N15DPbF)
仿真模型
1(IRFR18N15D Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IRFR4615TRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 6,138
单价. : ¥14.87000
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单价. : ¥14.87000
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型号 : FDD120AN15A0-F085
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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型号 : STD6NF10T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 10,189
单价. : ¥9.14000
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