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元器件型号详细信息
原厂型号
IPI034NE7N3 G
摘要
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
详情
通孔 N 通道 75 V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 155µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
117 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8130 pF @ 37.5 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
214W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO262-3
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
IPI034N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPI034NE7N3 G-ND
IPI034NE7N3G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPI034NE7N3 G
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价格
-
替代型号
型号 : IRFSL3207ZPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 880
单价. : ¥27.98000
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