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GermanyNTJD4105CT4G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTJD4105CT4G
摘要
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
详情
MOSFET - 阵列 20V，8V 630mA，775mA 270mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V，8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
630mA，775mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
375 毫欧 @ 630mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
46pF @ 20V
功率 - 最大值
270mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SC-88/SC70-6/SOT-363
基本产品编号
NTJD4105
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTJD4105CT4G
相关文档
规格书
1(NTJD4105C)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 06/Oct/2006)
HTML 规格书
1(NTJD4105C)
EDA 模型
1(NTJD4105CT4G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : NTJD4105CT2G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥3.34000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥3.34000
替代类型. : 类似