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GermanyGPA030A135MN-FDR
元器件型号详细信息
原厂型号
GPA030A135MN-FDR
摘要
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
详情
IGBT 沟槽型场截止 1350 V 60 A 329 W 通孔 TO-3PN
原厂/品牌
SemiQ
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
SemiQ
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1350 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.4V @ 15V，30A
功率 - 最大值
329 W
开关能量
4.4mJ（开），1.18mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
300 nC
25°C 时 Td（开/关）值
30ns/145ns
测试条件
600V，30A，5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
450 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
1560-1221-1-ND
1560-1221-1
1560-1221-2
1560-1221-5
1560-1221-2INACTIVE
GPA030A135MNFDR
1560-1221-2-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/SemiQ GPA030A135MN-FDR
相关文档
规格书
1(GPA030A135MN-FDR)
PCN 产品变更/停产
1(DK OBS NOTICE)
价格
-
替代型号
-