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元器件型号详细信息
原厂型号
SI8800EDB-T2-E1
摘要
MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 2A（Ta） 500mW（Ta） 4-Microfoot
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
80 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.3 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
4-Microfoot
封装/外壳
4-XFBGA，CSPBGA
基本产品编号
SI8800
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SI8800EDB-T2-E1CT
SI8800EDB-T2-E1DKR
SI8800EDB-T2-E1TR
SI8800EDBT2E1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI8800EDB-T2-E1
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规格书
1(SI8800EDB)
环保信息
()
HTML 规格书
1(SI8800EDB)
EDA 模型
1(SI8800EDB-T2-E1 by Ultra Librarian)
价格
数量: 3000
单价: $1.31067
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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替代型号
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