English
Spain
Rusia
Italy
GermanyMSR830AGC-1512
元器件型号详细信息
原厂型号
MSR830AGC-1512
摘要
IC SRAM 1.152GBIT PAR 676BGA
详情
1T-SRAM 存储器 IC 1.152Gb 并联 1.25 GHz 2.7 ns 676-BGA（27x27）
原厂/品牌
MoSys, Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
40
供应商库存
技术参数
制造商
MoSys, Inc.
系列
-
包装
托盘
产品状态
最后售卖
allaboutcomponents.com 可编程
未验证
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
1T-SRAM
存储容量
1.152Gb
存储器组织
16M x 72
存储器接口
并联
时钟频率
1.25 GHz
写周期时间 - 字，页
-
访问时间
2.7 ns
电压 - 供电
1V
工作温度
0°C ~ 85°C（TC）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
676-BGA
供应商器件封装
676-BGA（27x27）
基本产品编号
MSR830
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
4（72 小时）
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0036
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/MoSys, Inc. MSR830AGC-1512
相关文档
规格书
1(BE3-RMW w/RLT)
特色产品
1(BLAZAR BE2-RMW/BE3-RMW Accelerator Engines)
PCN 产品变更/停产
1(PDN_2023-05-01)
HTML 规格书
1(BE3-RMW w/RLT)
价格
数量: 10
单价: $5664.079
包装: 托盘
最小包装数量: 10
包装: 托盘
最小包装数量: 10
替代型号
-