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GermanyFCB110N65F
元器件型号详细信息
原厂型号
FCB110N65F
摘要
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 35A（Tc） 357W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
FRFET®, SuperFET® II
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
110 毫欧 @ 17.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 3.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
145 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4895 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
357W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
FCB110
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FCB110N65FCT
FCB110N65FTR
FCB110N65FDKR
2156-FCB110N65F-OS
ONSONSFCB110N65F
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FCB110N65F
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规格书
1(FCB110N65F)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Multiple Parts 23/Jun/2022)
PCN 封装
()
EDA 模型
1(FCB110N65F by Ultra Librarian)
价格
数量: 800
单价: $32.86709
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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最小包装数量: 800
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
型号 : STB37N60DM2AG
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥52.87000
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