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GermanyEPC2012
元器件型号详细信息
原厂型号
EPC2012
摘要
GANFET N-CH 200V 3A DIE
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 3A（Ta） 模具
原厂/品牌
EPC
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
EPC
系列
eGaN®
包装
卷带（TR）
Product Status
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 3A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.8 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
145 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具
基本产品编号
EPC20
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
其它名称
917-1017-1
917-1017-6
-917-1017-1
917-1017-2
-917-1017-2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/EPC EPC2012
相关文档
规格书
1(EPC2012)
产品培训模块
1(Paralleling eGaN FETs)
视频文件
1(Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video)
环保信息
1(EPC RoHS & Halogen Cert)
特色产品
1(EPC Low Voltage eGaN® FETs)
PCN 产品变更/停产
1(EPC20yy Family EOL 31/May/2017)
PCN 设计/规格
1(EPC20xx Material 10/Apr/2013)
PCN 组装/来源
1(EPC2yyy Family Process Change 14/Dec/2013)
PCN 其他
1(Multiple Changes 24/Jun/2014)
HTML 规格书
1(EPC2012)
价格
-
替代型号
型号 : EPC2012C
制造商 : EPC
库存 : 28,737
单价. : ¥21.94000
替代类型. : 直接
库存 : 28,737
单价. : ¥21.94000
替代类型. : 直接