English
Spain
Rusia
Italy
GermanyCRY82(TE85L,Q,M)
元器件型号详细信息
原厂型号
CRY82(TE85L,Q,M)
摘要
DIODE ZENER 8.2V 700MW SFLAT
详情
二极管 - 齐纳 8.2 V 700 mW ±10% 表面贴装型 S-FLAT（1.6x3.5）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
8.2 V
容差
±10%
功率 - 最大值
700 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
10 µA @ 4.9 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 200 mA
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOD-123F
供应商器件封装
S-FLAT（1.6x3.5）
基本产品编号
CRY82
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
CRY82TE85LQM
CRY82(TE85LQM)TR
CRY82(TE85LQM)DKR
CRY82(TE85LQM)CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Toshiba Semiconductor and Storage CRY82(TE85L,Q,M)
相关文档
规格书
1(CRY62 To CRZ39)
PCN 产品变更/停产
1(EOL 08/Nov/2013)
EDA 模型
1(CRY82(TE85L,Q,M) by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : BZT52H-C8V2,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 6,608
单价. : ¥1.75000
替代类型. : 类似
库存 : 6,608
单价. : ¥1.75000
替代类型. : 类似
型号 : KDZVTR7.5B
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 14,900
单价. : ¥3.10000
替代类型. : 类似
库存 : 14,900
单价. : ¥3.10000
替代类型. : 类似
型号 : BZD27C8V2P-M-08
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : NZH8V2B,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,604
单价. : ¥2.07000
替代类型. : 类似
库存 : 4,604
单价. : ¥2.07000
替代类型. : 类似
型号 : BZD27C8V2P-M-18
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似