元器件型号详细信息

原厂型号
NXPSC04650DJ
摘要
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
详情
二极管 650 V 4A 表面贴装型 DPAK
原厂/品牌
WeEn Semiconductors
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
WeEn Semiconductors
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
最后售卖
技术
SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
650 V
电流 - 平均整流 (Io)
4A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 4 A
速度
无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
170 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容
130pF @ 1V,1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装
DPAK
工作温度 - 结
175°C(最大)
基本产品编号
NXPSC

相关信息

RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

1740-NXPSC04650DJCT
1740-NXPSC04650DJDKR
NXPSC04650DJ-ND
1740-NXPSC04650DJTR
934070006118

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/WeEn Semiconductors NXPSC04650DJ

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规格书
1(NXPSC04650D)
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1(Diodes 1-20-23)
PCN 封装
1(All Device Label Chg 14/Feb/2020)
PCN 零件状态变更
()
HTML 规格书
1(NXPSC04650D)

价格

-

替代型号

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