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GermanyTP90H180PS
元器件型号详细信息
原厂型号
TP90H180PS
摘要
GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
详情
通孔 N 通道 900 V 15A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Transphorm
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Transphorm
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
漏源电压（Vdss）
900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
205 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
780 pF @ 600 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
78W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
TP90H180
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Transphorm TP90H180PS
相关文档
规格书
1(TP90H180PS Preliminary)
产品培训模块
1(GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies)
视频文件
()
PCN 产品变更/停产
1(TPH32/TPH32 02/Mar/2021)
HTML 规格书
1(TP90H180PS Preliminary)
价格
数量: 100
单价: $70.361
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $83.312
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $90.63
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-