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GermanyNCV57200DR2G
元器件型号详细信息
原厂型号
NCV57200DR2G
摘要
ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE
详情
半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
24 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q100
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
allaboutcomponents.com 可编程
Not Verified
驱动配置
半桥
通道类型
同步
驱动器数
1
栅极类型
IGBT
电压 - 供电
20V
逻辑电压 - VIL，VIH
0.9V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
1.9A，2.3A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
800 V
上升/下降时间（典型值）
13ns，8ns
工作温度
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
NCV57200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
其它名称
488-NCV57200DR2GDKR
488-NCV57200DR2GCT
488-NCV57200DR2GTR
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/电源管理（PMIC）/栅极驱动器/onsemi NCV57200DR2G
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规格书
1(NCV57200)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Process Change 11/Oct/2021)
HTML 规格书
1(NCV57200)
价格
数量: 5000
单价: $7.05472
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
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