CSD16323Q3

元器件型号详细信息

原厂型号

CSD16323Q3

摘要

MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON

详情

表面贴装型 N 通道 25 V 21A（Ta），60A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON-CLIP（3.3x3.3）

原厂/品牌

Texas Instruments

原厂到货时间

6 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Texas Instruments

系列

NexFET™

包装

卷带（TR）

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

21A（Ta），60A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

3V，8V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

4.5 毫欧 @ 24A，8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

8.4 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）

+10V，-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1300 pF @ 12.5 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

3W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-VSON-CLIP（3.3x3.3）

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

CSD16323

其它名称

296-24522-6

296-24522-2-NDR

-296-24522-1-ND

296-24522-2

296-24522-1

296-24522-1-NDR

296-24522-6-NDR

-296-24522-1-NDR

2156-CSD16323Q3

TEXTISCSD16323Q3

-CSD16323Q3-NDR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD16323Q3

价格

数量: 12500

单价: $3.6101
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 5000

单价: $3.75112
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $3.94856
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $4.23061
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $5.35882
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $6.4869
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $8.323
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $9.3
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $4.23061
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $5.35882
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $6.4869
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $8.323
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $9.3
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

RCMS0552302FHS14 416-41-204-41-008000 FFSD-05-D-06.40-01-N-R MKP385E33910KFP2B0 Y000762K6000D0L

CSD16323Q3

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