English
Spain
Rusia
Italy
GermanySPD18P06P
元器件型号详细信息
原厂型号
SPD18P06P
摘要
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 18.6A（Tc） 80W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
130 毫欧 @ 13.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
860 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
80W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
SPD18P
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SPD18P06PINCT
SPD18P06PINTR
SPD18P06PINDKR
SP000077440
2156-SPD18P06P-ITTR
SPD18P06PXT
SPD18P06P-ND
IFEINFSPD18P06P
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPD18P06P
相关文档
规格书
1(SPD,SPU18P06P)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
HTML 规格书
1(SPD,SPU18P06P)
价格
-
替代型号
型号 : SPD18P06PGBTMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 10,453
单价. : ¥11.61000
替代类型. : 参数等效
库存 : 10,453
单价. : ¥11.61000
替代类型. : 参数等效
型号 : DMP6180SK3-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥4.93000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥4.93000
替代类型. : 类似
型号 : ZXMP6A17KTC
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥7.23000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥7.23000
替代类型. : 类似
型号 : AOD407
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 397,727
单价. : ¥5.17000
替代类型. : 类似
库存 : 397,727
单价. : ¥5.17000
替代类型. : 类似
型号 : FQD17P06TM
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥8.27000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥8.27000
替代类型. : 类似
型号 : NTD20P06LT4G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥8.98000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥8.98000
替代类型. : 类似