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GermanyCSD13302WT
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD13302WT
摘要
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
详情
表面贴装型 N 通道 12 V 1.6A（Ta） 1.8W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
250
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.1m옴 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
862 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
4-DSBGA（1x1）
封装/外壳
4-UFBGA，DSBGA
基本产品编号
CSD13302
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TEXTISCSD13302WT
2156-CSD13302WT
296-CSD13302WTCT
CSD13302WT-ND
296-CSD13302WTTR
296-CSD13302WTDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD13302WT
相关文档
规格书
1(CSD13302W(T) Datasheet)
特色产品
1(Power Management)
PCN 封装
1(Carrier Tape 28/Aug/2018)
制造商产品页面
1(CSD13302WT Specifications)
HTML 规格书
1(CSD13302W(T) Datasheet)
EDA 模型
1(CSD13302WT by Ultra Librarian)
价格
数量: 1250
单价: $3.35091
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
数量: 500
单价: $4.24446
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
数量: 250
单价: $4.803
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
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