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GermanyIPB80P03P4L04ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPB80P03P4L04ATMA1
摘要
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.1 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 253µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
137W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IPB80P
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP000396284
IPB80P03P4L-04-ND
IPB80P03P4L-04
IPB80P03P4L04ATMA1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB80P03P4L04ATMA1
相关文档
规格书
1(IPx80P03P4L-04)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Design Chg 9/Oct/2019)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assem/DS Rev 4/Oct/2022)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
1(IPx80P03P4L-04)
仿真模型
1(OptiMOS-P2-Spice Model)
价格
数量: 5000
单价: $11.99033
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 2000
单价: $12.45869
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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最小包装数量: 1000
数量: 1000
单价: $13.1144
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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最小包装数量: 1000
替代型号
-