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GermanyIXFA22N65X2
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFA22N65X2
摘要
MOSFET N-CH 650V 22A TO263
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 22A（Tc） 390W（Tc） TO-263HV
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
65 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Ultra X2
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
160 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2310 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
390W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263HV
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IXFA22
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
IXFA22N65X2X
IXFA22N65X2XINACTIVE
IXFA22N65X2X-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFA22N65X2
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规格书
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特色产品
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HTML 规格书
1(IXF(A,H,P)22N65X2)
价格
数量: 2000
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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