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元器件型号详细信息
原厂型号
ALD1110EPAL
摘要
MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
详情
MOSFET - 阵列 10V 600mW 通孔 8-PDIP
原厂/品牌
Advanced Linear Devices Inc.
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Advanced Linear Devices Inc.
系列
EPAD®
包装
管件
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）配对
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
500 欧姆 @ 5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.01V @ 1µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2.5pF @ 5V
功率 - 最大值
600mW
工作温度
0°C ~ 70°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装
8-PDIP
基本产品编号
ALD1110
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Advanced Linear Devices Inc. ALD1110EPAL
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规格书
1(ALD1108,10E)
HTML 规格书
1(ALD1108,10E)
EDA 模型
1(ALD1110EPAL by Ultra Librarian)
价格
数量: 50
单价: $54.2454
包装: 管件
最小包装数量: 50
包装: 管件
最小包装数量: 50
替代型号
-