元器件型号详细信息

原厂型号
SIS780DN-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 18A(Tc) 27.7W(Tc) PowerPAK® 1212-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
13.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
24.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
722 pF @ 15 V
FET 功能
肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
27.7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
基本产品编号
SIS780

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SIS780DN-T1-GE3-ND
SIS780DN-T1-GE3CT
SIS780DN-T1-GE3DKR
SIS780DN-T1-GE3TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIS780DN-T1-GE3

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规格书
1(SIS780DN)
PCN 组装/来源
1(New Solder Plating Site 18/Apr/2023)
HTML 规格书
1(SIS780DN)

价格

数量: 3000
单价: $1.92128
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $2.1072
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
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