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最后更新

20250411
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SSM3K56MFV,L3F

元器件型号详细信息

原厂型号
SSM3K56MFV,L3F
摘要
MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 800mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
18 周
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000
供应商库存
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技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVII-H
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
800mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
235 毫欧 @ 800mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
55 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
VESM
封装/外壳
SOT-723
基本产品编号
SSM3K56

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

SSM3K56MFVL3FDKR
SSM3K56MFVL3FTR
SSM3K56MFV,L3F(B
SSM3K56MFV,L3F(T
SSM3K56MFVL3FCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56MFV,L3F

相关文档

规格书
1(SSM3K56MFV)
特色产品
1(Server Solutions)
PCN 封装
1(Marking Chg 08/Feb/2016)
EDA 模型
1(SSM3K56MFV by Ultra Librarian)

价格

数量: 56000
单价: $0.44408
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000
数量: 24000
单价: $0.50084
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000
数量: 16000
单价: $0.53423
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000
数量: 8000
单价: $0.60101
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000
数量: 2000
单价: $0.66779
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $0.76796
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $1.00168
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $1.5129
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $2.671
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $3.58
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $0.66779
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1000
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最小包装数量: 1
数量: 500
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最小包装数量: 1
数量: 100
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数量: 10
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最小包装数量: 1

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