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GermanyRGS30TSX2DHRC11
元器件型号详细信息
原厂型号
RGS30TSX2DHRC11
摘要
IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N
详情
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 30 A 267 W 通孔 TO-247N
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
53 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
45 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，15A
功率 - 最大值
267 W
开关能量
740µJ（开），600µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
41 nC
25°C 时 Td（开/关）值
30ns/70ns
测试条件
600V，15A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
157 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247N
基本产品编号
RGS30
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Rohm Semiconductor RGS30TSX2DHRC11
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规格书
1(RGS30TSX2DHR)
产品培训模块
()
HTML 规格书
1(RGS30TSX2DHR)
价格
数量: 2000
单价: $35.85478
包装: 管件
最小包装数量: 1
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替代型号
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