元器件型号详细信息

原厂型号
IRFH8321TRPBF
摘要
MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 21A(Ta),83A(Tc) 3.4W(Ta),54W(Tc) PQFN(5x6)
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A(Ta),83A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.9 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
59 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2600 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.4W(Ta),54W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PQFN(5x6)
封装/外壳
8-TQFN 裸露焊盘

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SP001575876
IFEINFIRFH8321TRPBF
IRFH8321TRPBFCT
2156-IRFH8321TRPBF
IRFH8321TRPBFTR
IRFH8321TRPBFDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRFH8321TRPBF

相关文档

规格书
1(IRFH8321PBF)
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环保信息
1(PQFN 5x6 RoHS Compliance)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 08/May/2019)
PCN 组装/来源
1(Warehouse Transfer 29/Jul/2015)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRFH8321PBF)
仿真模型
1(IRFH8321PBF Spice Model)

价格

-

替代型号

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