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GermanyIPL60R2K1C6SATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPL60R2K1C6SATMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 2.3A（Tc） 21.6W（Tc） PG-TSON-8-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ C6
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 欧姆 @ 760mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
140 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
21.6W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TSON-8-2
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
IPL60R
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
INFINFIPL60R2K1C6SATMA1
2156-IPL60R2K1C6SATMA1
SP001163026
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPL60R2K1C6SATMA1
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HTML 规格书
1(IPL60R2K1C6S)
价格
-
替代型号
-