元器件型号详细信息

原厂型号
NGTB03N60R2DT4G
摘要
IGBT 9A 600V DPAK
详情
IGBT 600 V 9 A 49 W 表面贴装型 DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
9 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
12 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,3A
功率 - 最大值
49 W
开关能量
50µJ(开),27µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
17 nC
25°C 时 Td(开/关)值
27ns/59ns
测试条件
300V,3A,30 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
65 ns
工作温度
175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装
DPAK
基本产品编号
NGTB03

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

NGTB03N60R2DT4GOSDKR
NGTB03N60R2DT4GOSTR
NGTB03N60R2DT4GOSCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi NGTB03N60R2DT4G

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环保信息
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PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 7/Apr/2021)
HTML 规格书
1(NGTB03N60R2DT4G)

价格

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替代型号

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