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GermanyCY7C1412KV18-300BZXI
元器件型号详细信息
原厂型号
CY7C1412KV18-300BZXI
摘要
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
详情
SRAM - 同步，QDR II 存储器 IC 36Mb 并联 300 MHz 165-FBGA（13x15）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
136
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
Product Status
停产
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 同步，QDR II
存储容量
36Mb
存储器组织
2M x 18
存储器接口
并联
时钟频率
300 MHz
写周期时间 - 字，页
-
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
165-LBGA
供应商器件封装
165-FBGA（13x15）
基本产品编号
CY7C1412
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
-CY7C1412KV18-300BZXI
CYPCYPCY7C1412KV18-300BZXI
2156-CY7C1412KV18-300BZXI
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Infineon Technologies CY7C1412KV18-300BZXI
相关文档
规格书
1(CY7C14xxKV18)
特色产品
1(Cypress Memory Products)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 15/Jun/2015)
PCN 设计/规格
1(Mult Device Serial No Mark 26/Sep/2017)
PCN 组装/来源
1(Assembly Site Add 08/Oct/2015)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Multiple Updates 27/Mar/2015)
HTML 规格书
1(CY7C14xxKV18)
EDA 模型
1(CY7C1412KV18-300BZXI by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-