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元器件型号详细信息
原厂型号
DMT10H072LFDFQ-7
摘要
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 4A（Ta） 1.8W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
28 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
62 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
228 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
基本产品编号
DMT10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMT10H072LFDFQ-7
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规格书
1(DMT10H072LFDFQ)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
价格
数量: 30000
单价: $1.47036
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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