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GermanyDMN10H099SFG-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN10H099SFG-13
摘要
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 4.2A（Ta） 980mW（Ta） PowerDI3333-8
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
16 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
80 毫欧 @ 3.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1172 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
980mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerDI3333-8
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
DMN10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMN10H099SFG-13
相关文档
规格书
1(DMN10H099SFG)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021)
HTML 规格书
1(DMN10H099SFG)
价格
数量: 30000
单价: $1.83237
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $1.88059
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $1.95292
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $2.09758
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
替代型号
型号 : DMN10H099SFG-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 1,990
单价. : ¥5.41000
替代类型. : 参数等效
库存 : 1,990
单价. : ¥5.41000
替代类型. : 参数等效