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GermanyPSMN1R5-30BLEJ
元器件型号详细信息
原厂型号
PSMN1R5-30BLEJ
摘要
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 120A（Tc） 401W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
15 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
228 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14934 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
401W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
PSMN1R5
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
568-10256-6
1727-1101-2
568-10256-6-ND
568-10256-2
568-10256-1
1727-1101-6
934067368118
568-10256-1-ND
568-10256-2-ND
1727-1101-1
PSMN1R5-30BLEJ-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. PSMN1R5-30BLEJ
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