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GermanyNCP5359ADR2G
元器件型号详细信息
原厂型号
NCP5359ADR2G
摘要
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
详情
半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
驱动配置
半桥
通道类型
同步
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
10V ~ 13.2V
逻辑电压 - VIL，VIH
1V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
-
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
30 V
上升/下降时间（典型值）
16ns，15ns
工作温度
0°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
NCP5359
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
其它名称
2156-NCP5359ADR2G-ONTR
NCP5359ADR2GOSTR
NCP5359ADR2GOSDKR
ONSSNYNCP5359ADR2G
NCP5359ADR2G-ND
NCP5359ADR2GOSCT
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/电源管理（PMIC）/栅极驱动器/onsemi NCP5359ADR2G
相关文档
规格书
1(NCP5359A)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Device EOL 10/Jul/2017)
HTML 规格书
1(NCP5359A)
EDA 模型
1(NCP5359ADR2G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-