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20250602
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元器件资讯
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ZXM62P03E6TC
元器件型号详细信息
原厂型号
ZXM62P03E6TC
摘要
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 1.5A(Ta) 625mW(Ta) SOT-26
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
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技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
230 毫欧 @ 800mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
330 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
625mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-26
封装/外壳
SOT-23-6
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated ZXM62P03E6TC
相关文档
规格书
1(ZXM62P03E6)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
()
价格
-
替代型号
-
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