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GermanyTK12J60W,S1VE(S
元器件型号详细信息
原厂型号
TK12J60W,S1VE(S
摘要
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
详情
通孔 N 通道 600 V 11.5A（Ta） 110W（Tc） TO-3P（N）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
25
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
托盘
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
300 毫欧 @ 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.7V @ 600µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
890 pF @ 300 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作温度
150°C
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3P（N）
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
基本产品编号
TK12J60
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60W,S1VE(S
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价格
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替代型号
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