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元器件型号详细信息
原厂型号
IXYN120N65B3D1
摘要
IGBT MODULE DISC IGBT SOT-227UI
详情
IGBT PT 650 V 250 A 830 W 底座安装 SOT-227B
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
87 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
GenX3™, XPT™
包装
管件
Product Status
在售
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
250 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
770 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.9V @ 15V，100A
功率 - 最大值
830 W
开关能量
1.34mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
250 nC
25°C 时 Td（开/关）值
30ns/168ns
测试条件
400V，50A，2 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
28 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227B
基本产品编号
IXYN120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/IXYS IXYN120N65B3D1
相关文档
环保信息
1(Ixys IC REACH)
价格
数量: 10
单价: $344.042
包装: 管件
最小包装数量: 10
包装: 管件
最小包装数量: 10
替代型号
-