English
Spain
Rusia
Italy
GermanyAUIRFL024NTR
元器件型号详细信息
原厂型号
AUIRFL024NTR
摘要
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
75 毫欧 @ 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
400 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-AUIRFL024NTR
IFEIRFAUIRFL024NTR
SP001519268
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies AUIRFL024NTR
相关文档
规格书
1(AUIRFL024N)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 31/Jul/2019)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(AUIRFL024N)
价格
-
替代型号
型号 : IRFL024NTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,480
单价. : ¥6.44000
替代类型. : 参数等效
库存 : 2,480
单价. : ¥6.44000
替代类型. : 参数等效
型号 : FQT13N06TF
制造商 : onsemi
库存 : 11,990
单价. : ¥5.72000
替代类型. : 类似
库存 : 11,990
单价. : ¥5.72000
替代类型. : 类似
型号 : BUK7880-55A/CUX
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 70,458
单价. : ¥4.37000
替代类型. : 类似
库存 : 70,458
单价. : ¥4.37000
替代类型. : 类似
型号 : BUK9880-55A/CUX
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 134,987
单价. : ¥4.93000
替代类型. : 类似
库存 : 134,987
单价. : ¥4.93000
替代类型. : 类似