元器件型号详细信息

原厂型号
PMV40UN,215
摘要
MOSFET N-CH 30V 4.9A TO236AB
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 4.9A(Tc) 1.9W(Tc) SOT-23(TO-236AB)
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
47 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 1mA(典型值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
445 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.9W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23(TO-236AB)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
PMV4

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

934057952215
PMV40UN T/R-ND
2156-PMV40UN215
NEXNXPPMV40UN,215
568-2355-6
954-PMV40UN215
568-2355-2
568-2355-1
PMV40UN T/R

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/NXP USA Inc. PMV40UN,215

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规格书
1(PMV40UN)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(PMV40UN)
EDA 模型
1(PMV40UN by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

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