English
Spain
Rusia
Italy
GermanyNTLGD3502NT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTLGD3502NT1G
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
详情
MOSFET - 阵列 20V 4.3A，3.6A 1.74W 表面贴装型 6-DFN（3x3）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A，3.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 4.3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
480pF @ 10V
功率 - 最大值
1.74W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-DFN（3x3）
基本产品编号
NTLGD35
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NTLGD3502NT1GOSTR
2156-NTLGD3502NT1G
NTLGD3502NT1G-ND
2156-NTLGD3502NT1G-ONTR-ND
ONSONSNTLGD3502NT1G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTLGD3502NT1G
相关文档
规格书
1(NTLGD3502N)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 21/Jan/2010)
HTML 规格书
1(NTLGD3502N)
价格
-
替代型号
型号 : NTLGD3502NT2G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥3.05166
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥3.05166
替代类型. : 类似
型号 : PMDPB30XN,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 15,048
单价. : ¥4.29000
替代类型. : 类似
库存 : 15,048
单价. : ¥4.29000
替代类型. : 类似