IPB100N06S205ATMA4

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB100N06S205ATMA4

摘要

MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

详情

表面贴装型 N 通道 55 V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

4.7 毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

170 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

5110 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

300W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB100

其它名称

IPB100N06S205ATMA4TR

IPB100N06S205ATMA4CT

2156-IPB100N06S205ATMA4

IPB100N06S205ATMA4-ND

SP001067896

IPB100N06S205ATMA4DKR

INFINFIPB100N06S205ATMA4

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB100N06S205ATMA4

价格

-

替代型号

型号 : IPB80N06S2H5ATMA2

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,000
单价. : ¥33.31000
替代类型. : MFR Recommended

型号 : IXTA170N075T2

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥28.52420
替代类型. : 类似

型号 : IXTA140N055T2

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥21.81300
替代类型. : 类似

型号 : STB160N75F3

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥45.63000
替代类型. : 类似

型号 : IXFA230N075T2-7

制造商 : IXYS
库存 : 50
单价. : ¥55.57000
替代类型. : 类似

型号 : FDB045AN08A0

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥30.29000
替代类型. : 类似

型号 : IXFA220N06T3

制造商 : IXYS
库存 : 223
单价. : ¥39.51000
替代类型. : 类似

型号 : FDB050AN06A0

制造商 : onsemi
库存 : 914
单价. : ¥20.99000
替代类型. : 类似

型号 : IXTA230N075T2-7

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥50.95720
替代类型. : 类似

1300640289 CMF554K9900FKEB CBL-GROM-08-35 ESQT-127-03-L-Q-368 445730-8

IPB100N06S205ATMA4

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