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GermanyPMR280UN,115
元器件型号详细信息
原厂型号
PMR280UN,115
摘要
MOSFET N-CH 20V 980MA SC75
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 980mA（Tc） 530mW（Tc） SC-75
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
980mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
340 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.89 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
530mW（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SC-75
封装/外壳
SC-75，SOT-416
基本产品编号
PMR2
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
PMR280UN T/R
PMR280UN,115-ND
568-6833-6
PMR280UN T/R-ND
934057958115
PMR280UN115
568-6833-1
568-6833-2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/NXP USA Inc. PMR280UN,115
相关文档
规格书
1(PMR280UN)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
EDA 模型
1(PMR280UN by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : DMG1012TQ-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 994,423
单价. : ¥2.86000
替代类型. : 类似
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