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GermanyFGH30N120FTDTU
元器件型号详细信息
原厂型号
FGH30N120FTDTU
摘要
IGBT 1200V 60A 339W TO247
详情
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 60 A 339 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，30A
功率 - 最大值
339 W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
208 nC
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
-
反向恢复时间 (trr)
730 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
FGH30
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGH30N120FTDTU
相关文档
规格书
1(FGH30N120FTD)
环保信息
1(onsemi RoHS)
特色产品
1(650 V, 30A/40A/60A, Field Stop Trench, FS3 IGBT for Optimum Performance)
HTML 规格书
1(FGH30N120FTD)
EDA 模型
1(FGH30N120FTDTU by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : NGTB30N120L2WG
制造商 : onsemi
库存 : 9
单价. : ¥66.62000
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型号 : STGW25M120DF3
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制造商 : IXYS
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型号 : STGW30NC120HD
制造商 : STMicroelectronics
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