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20250514
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FGH40T100SMD
元器件型号详细信息
原厂型号
FGH40T100SMD
摘要
IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
详情
IGBT 沟槽型场截止 1000 V 80 A 333 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
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技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
1000 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V,40A
功率 - 最大值
333 W
开关能量
2.35mJ(开),1.15mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
265 nC
25°C 时 Td(开/关)值
29ns/285ns
测试条件
600V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
78 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
FGH40
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGH40T100SMD
相关文档
规格书
1(FGH40T100SMD)
环保信息
()
特色产品
1(650 V, 30A/40A/60A, Field Stop Trench, FS3 IGBT for Optimum Performance)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 29/Jan/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 15/Jul/2020)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FGH40T100SMD)
价格
-
替代型号
型号 : NGTB40N120FL2WG
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : IXYH40N90C3D1
制造商 : IXYS
库存 : 307
单价. : ¥88.24000
替代类型. : 类似
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