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GermanyRGW80TK65GVC11
元器件型号详细信息
原厂型号
RGW80TK65GVC11
摘要
IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 39 A 81 W 通孔 TO-3PFM
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
46 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
39 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.9V @ 15V，40A
功率 - 最大值
81 W
开关能量
760µJ（开），720µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
110 nC
25°C 时 Td（开/关）值
44ns/143ns
测试条件
400V，40A，10 欧姆，15V
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3PFM，SC-93-3
供应商器件封装
TO-3PFM
基本产品编号
RGW80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Rohm Semiconductor RGW80TK65GVC11
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规格书
1(RGW80TK65)
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特色产品
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价格
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替代型号
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